(四月)楊展其教授、陳宜君教授與陽明交通大學團隊合作發現控制反鐵磁材料自旋態的新方法
反鐵磁材料由於其優異的零淨磁化量與零雜散場特性，可製成高速、高儲存密度且非揮發的新興記憶體元件，成為當今發展自旋電子學不可或缺的關鍵材料。然而，其反鐵磁的特性也對其自旋態的控制與檢測帶來了很大的挑戰。楊展其教授、陳宜君教授與陽明交通大學團隊合作的研究結果中揭露，反鐵磁材料鐵酸鉍薄膜在特殊應變條件下於室溫可形成兩種能量接近的反鐵磁自旋態，可藉由中等磁場和非接觸的光學方法實現兩個反鐵磁態間的可逆且非揮發地切換。此外，兩種反鐵磁紋理的切換間也在區域導電性上體現出差異。最終證明了鐵酸鉍薄膜中反鐵磁雙穩態的光學寫入和電讀取能力。
詳見 Advanced Materials (2022)
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