(十二月)羅光耀教授和他的研究團隊利用二次諧波對磷摻雜矽超薄膜的摻雜濃度進行了非破壞性量測
在先進半導體製造過程中，非破壞性分析摻雜濃度是非常重要的製程控制手段。本研究採用二次諧波（SHG）對磷摻雜矽超薄膜的摻雜濃度進行了非破壞性量測。該技術基於分析internal photoemission引起的電荷捕獲和相應的電場誘導的SHG（EFISHG）演變。我們進一步利用費米-狄拉克分布和穿隧機率（tunneling probability）來估算摻雜濃度，而不需要考慮磷摻雜矽的晶體結構。該方法可以在1017至1020（atom/cm3）之間透過SHG量測摻雜濃度。對於實現線上監測和優化製程條件具有重要意義。
詳見 Surfaces And Interfaces (2023)
詳見 Surfaces And Interfaces (2023)
